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MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

참조 용

부품 번호 MT29F256G08CBCBBL06B3WC1
PNEDA 부품 번호 MT29F256G08CBCBBL06B3WC1
설명 IC FLASH 256G PARALLEL WAFER
제조업체 Micron Technology Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29F256G08CBCBBL06B3WC1
분류반도체메모리 IC기억

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MT29F256G08CBCBBL06B3WC1 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5µs, 2.5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

93LC56BXT/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT53B384M64D4NK-062 XT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

24Gb (384M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

366-WFBGA

공급자 장치 패키지

366-WFBGA (15x15)

AT24C64-10TC-1.8

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SST49LF008A-33-4C-WHE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST49

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

120ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

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