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MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

참조 용

부품 번호 MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
PNEDA 부품 번호 MT29RZ1CVCZZHGTN-18-W-85H-TR
설명 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH, RAM
기술FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.8V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스121-WFBGA
공급자 장치 패키지121-VFBGA (8x7.5)

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제조업체

Microchip Technology

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

40µs

접근 시간

70ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA

CY7C1362C-250AJXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

EMF8132A3PF-DV-F-R TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

267MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

500ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-FBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA

IS61LPS102418A-200TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

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