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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR

참조 용

부품 번호 MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR
PNEDA 부품 번호 MT29RZ4C4DZZMGGM-18W-80U-TR
설명 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH, RAM
기술FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.8V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2µs

전압-공급

2.8V ~ 5.25V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-TDFN-EP (3x3)

MT29F8G08ADADAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

MT29F128G08CBCABH6-6M:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-VBGA

공급자 장치 패키지

152-VBGA (14x18)

BQ4011YMA-70N

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.61", 15.49mm)

공급자 장치 패키지

28-DIP Module (18.42x37.72)

S25FL256LDPBHN033

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-L

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (6x8)

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