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MT35XU256ABA1G12-0AUT TR

MT35XU256ABA1G12-0AUT TR

참조 용

부품 번호 MT35XU256ABA1G12-0AUT TR
PNEDA 부품 번호 MT35XU256ABA1G12-0AUT-TR
설명 IC FLASH NOR 256MB 24TPBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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재고 있음 3,472
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT35XU256ABA1G12-0AUT TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT35XU256ABA1G12-0AUT TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT35XU256ABA1G12-0AUT TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Xccela™ - MT35X
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스Xccela Bus
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-TBGA
공급자 장치 패키지24-T-PBGA (6x8)

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

709369L9PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

288Kb (16K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

9ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

S34ML02G100BHB000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

IS46DR16640B-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-TWBGA (8x12.5)

S34MS08G201BHA003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, MS-2

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

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