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MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

참조 용

부품 번호 MT3S20TU(TE85L)
PNEDA 부품 번호 MT3S20TU-TE85L
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 5,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 14 - 3월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT3S20TU(TE85L) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT3S20TU(TE85L)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • MT3S20TU(TE85L) Distributor

MT3S20TU(TE85L) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.45dB @ 20mA, 5V
이득12dB
전력-최대900mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지UFM

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

11GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.8GHz

이득

10.5dB

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60mA

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

2SC5087YTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

13dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-61AA

공급자 장치 패키지

SMQ

2N5109

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

1.2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

12dB

전력-최대

2.5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 15V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

SD1332-05C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

5.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

이득

17dB

전력-최대

180W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 14mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

작동 온도

200°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

M150

공급자 장치 패키지

M150

BFR93AWH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

10.5dB ~ 15.5dB

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

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