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MT40A1G16RC-062E IT:B

MT40A1G16RC-062E IT:B

참조 용

부품 번호 MT40A1G16RC-062E IT:B
PNEDA 부품 번호 MT40A1G16RC-062E-IT-B
설명 IC SDRAM DDR4 16GB FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT40A1G16RC-062E IT:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT40A1G16RC-062E IT:B
분류반도체메모리 IC기억

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MT40A1G16RC-062E IT:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기16Gb (1G x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간19ns
전압-공급1.14V ~ 1.26V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (10x13)

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

70V26L55G

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

84-BPGA

공급자 장치 패키지

84-PGA (27.94x27.94)

IS25LP064A-JBLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

6Tb (768G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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