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MT40A1G4HX-093E:A

MT40A1G4HX-093E:A

참조 용

부품 번호 MT40A1G4HX-093E:A
PNEDA 부품 번호 MT40A1G4HX-093E-A
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT40A1G4HX-093E:A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT40A1G4HX-093E:A
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT40A1G4HX-093E:A, MT40A1G4HX-093E:A 데이터 시트 (총 페이지: 383, 크기: 11,237.05 KB)
PDFMT40A512M8SA-062E:F 데이터 시트 표지
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MT40A1G4HX-093E:A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기4Gb (1G x 4)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.26V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (9x11.5)

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메모리 유형

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FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

S29PL127J60BFI000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

PL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

60ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-VFBGA

공급자 장치 패키지

80-FBGA (8x11)

S34ML04G100TFI000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

CY62168EV30LL-45BVXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

S29GL01GS11TFV010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

110ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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