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MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

참조 용

부품 번호 MT40A256M16GE-083E IT:B TR
PNEDA 부품 번호 MT40A256M16GE-083E-IT-B-TR
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT40A256M16GE-083E IT:B TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT40A256M16GE-083E IT:B TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT40A256M16GE-083E IT:B TR, MT40A256M16GE-083E IT:B TR 데이터 시트 (총 페이지: 383, 크기: 11,237.05 KB)
PDFMT40A512M8SA-062E:F 데이터 시트 표지
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MT40A256M16GE-083E IT:B TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.26V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (9x14)

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Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

EDW4032BABG-70-F-D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR5

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.75GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.65V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

170-TFBGA

공급자 장치 패키지

170-FBGA (12x14)

IS46LR32160C-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

512Mb (16M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

24VL024H/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.5V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FM21L16-60-TGTR

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

110ns

접근 시간

110ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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