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MT40A512M16HA-083E IT:A

MT40A512M16HA-083E IT:A

참조 용

부품 번호 MT40A512M16HA-083E IT:A
PNEDA 부품 번호 MT40A512M16HA-083E-IT-A
설명 IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT40A512M16HA-083E IT:A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT40A512M16HA-083E IT:A
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT40A512M16HA-083E IT:A, MT40A512M16HA-083E IT:A 데이터 시트 (총 페이지: 391, 크기: 11,348.46 KB)
PDFMT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 표지
MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 2 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 3 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 4 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 5 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 6 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 7 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 8 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 9 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 10 MT40A512M16LY-062E IT:E TR 데이터 시트 페이지 11

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MT40A512M16HA-083E IT:A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.26V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (9x14)

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.067GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-VFBGA (7.5x13)

M29F800DT70M6

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-SOIC (0.525", 13.34mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SO

MT53B256M64D2TP-062 XT:C

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

16Gb (256M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

S70FS01GSAGBHM213

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, FS-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (8x6)

24FC512-I/MF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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