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MT41J128M16JT-107:K TR

MT41J128M16JT-107:K TR

참조 용

부품 번호 MT41J128M16JT-107:K TR
PNEDA 부품 번호 MT41J128M16JT-107-K-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT41J128M16JT-107:K TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41J128M16JT-107:K TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT41J128M16JT-107:K TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (8x14)

관심을 가질만한 제품

93AA46X-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S29PL127J70BAW000

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

PL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

80-VFBGA

공급자 장치 패키지

80-FBGA (8x11)

IS62WV102416ALL-35TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

1.65V ~ 2.2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

AT45DB161B-RC-2.5

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (528 Bytes x 4096 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

15MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

70V658S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-LFBGA

공급자 장치 패키지

208-FPBGA (15x15)

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