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MT41K128M8JP-125:G

MT41K128M8JP-125:G

참조 용

부품 번호 MT41K128M8JP-125:G
PNEDA 부품 번호 MT41K128M8JP-125-G
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT41K128M8JP-125:G 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41K128M8JP-125:G
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41K128M8JP-125:G, MT41K128M8JP-125:G 데이터 시트 (총 페이지: 215, 크기: 16,514.28 KB)
PDFMT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 표지
MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 2 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 3 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 4 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 5 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 6 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 7 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 8 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 9 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 10 MT41K64M16TW-107 IT:J 데이터 시트 페이지 11

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MT41K128M8JP-125:G 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간13.75ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (8x11.5)

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IS29GL01GS-11TFV010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

110ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

MT41K1G8THE-15E:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (10.5x12)

제조업체

Qimonda

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

66-TSOP II

M29DW128F70ZA6F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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