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MT41K512M4HX-15E:D

MT41K512M4HX-15E:D

참조 용

부품 번호 MT41K512M4HX-15E:D
PNEDA 부품 번호 MT41K512M4HX-15E-D
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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재고 있음 5,220
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예상 배송 1월 8 - 1월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT41K512M4HX-15E:D 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41K512M4HX-15E:D
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41K512M4HX-15E:D, MT41K512M4HX-15E:D 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 458.16 KB)
PDFMT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 표지
MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 2 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 3 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 4 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 5 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 6 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 7 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 8 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 9 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 10 MT41K128M16HA-15E IT:D 데이터 시트 페이지 11

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MT41K512M4HX-15E:D 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기2Gb (512M x 4)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간13.5ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (9x11.5)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x8)

25AA512-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

24AA025E64-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT53D6DABE-DC

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DS1230Y-200

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

200ns

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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