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MT41K512M8DA-107 AIT:P TR

MT41K512M8DA-107 AIT:P TR

참조 용

부품 번호 MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
PNEDA 부품 번호 MT41K512M8DA-107-AIT-P-TR
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT41K512M8DA-107 AIT:P TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR, MT41K512M8DA-107 AIT:P TR 데이터 시트 (총 페이지: 201, 크기: 16,276.58 KB)
PDFMT41K256M16TW-107 AUT:P 데이터 시트 표지
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MT41K512M8DA-107 AIT:P TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-TFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (8x10.5)

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제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (256 Bytes x 32K pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-UFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

44-WLCSP (3.52x4.22)

CY62146EV30LL-45ZSXAT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

AS7C316098B-10TINTR

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

IDT71P74804S200BQG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

70V07S35PFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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