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MT42L256M32D4MG-25 IT:A

MT42L256M32D4MG-25 IT:A

참조 용

부품 번호 MT42L256M32D4MG-25 IT:A
PNEDA 부품 번호 MT42L256M32D4MG-25-IT-A
설명 IC DRAM 8G PARALLEL 134FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT42L256M32D4MG-25 IT:A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT42L256M32D4MG-25 IT:A
분류반도체메모리 IC기억

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MT42L256M32D4MG-25 IT:A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.3V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스134-TFBGA
공급자 장치 패키지134-FBGA (11.5x11.5)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR5

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.75GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.65V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

170-TFBGA

공급자 장치 패키지

170-FBGA (12x14)

MT28FW512ABA1LPC-0AAT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

105ns

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-LBGA (11x13)

MT46V64M8BN-75 IT:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (10x12.5)

IS65LV256AL-45TLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP I

IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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