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MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR

MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR

참조 용

부품 번호 MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR
PNEDA 부품 번호 MT42L64M64D2LL-18-IT-C-TR
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR, MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR 데이터 시트 (총 페이지: 148, 크기: 7,275.08 KB)
PDFMT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 표지
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 2 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 3 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 4 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 5 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 6 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 7 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 8 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 9 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 10 MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR 데이터 시트 페이지 11

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MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기4Gb (64M x 64)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.3V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스216-WFBGA
공급자 장치 패키지216-FBGA (12x12)

관심을 가질만한 제품

25LC160BT-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS62WV5128BLL-55HI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

32-sTSOP I

M25P10-AVMN3P/Y

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DS28EC20Q+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

20Kb (256 x 80)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-TDFN-EP (3x3)

AT24C32A-10TU-2.7

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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