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MT46V64M4BG-5B:GTR

MT46V64M4BG-5B:GTR

참조 용

부품 번호 MT46V64M4BG-5B:GTR
PNEDA 부품 번호 MT46V64M4BG-5B-GTR
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT46V64M4BG-5B:GTR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT46V64M4BG-5B:GTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT46V64M4BG-5B:GTR, MT46V64M4BG-5B:GTR 데이터 시트 (총 페이지: 93, 크기: 3,632.33 KB)
PDFMT46V16M16P-5B:K TR 데이터 시트 표지
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MT46V64M4BG-5B:GTR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR
메모리 크기256Mb (64M x 4)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간700ps
전압-공급2.5V ~ 2.7V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스60-FBGA
공급자 장치 패키지60-FBGA (8x14)

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-VFBGA

공급자 장치 패키지

153-VFBGA (11.5x13)

AT24C16D-XHM-B

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

450ns

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IS61QDPB42M36A1-550B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Quad Port, Synchronous

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

550MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-LFBGA (13x15)

AT45DB041D-MU-2.5

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VDFN (6x5)

S25FL116K0XMFV011

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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