MT47H128M8SH-25E:M
참조 용
| 부품 번호 | MT47H128M8SH-25E:M |
| PNEDA 부품 번호 | MT47H128M8SH-25E-M |
| 설명 | IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 26,429 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MT47H128M8SH-25E:M 리소스
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MT47H128M8SH-25E:M 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 메모리 크기 | 1Gb (128M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 400MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 15ns |
| 접근 시간 | 400ps |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 60-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 60-FBGA (8x10) |
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
