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MT48H16M32L2B5-8

MT48H16M32L2B5-8

참조 용

부품 번호 MT48H16M32L2B5-8
PNEDA 부품 번호 MT48H16M32L2B5-8
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT48H16M32L2B5-8 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT48H16M32L2B5-8
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT48H16M32L2B5-8, MT48H16M32L2B5-8 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 266.31 KB)
PDFMT48H16M32L2F5-8 TR 데이터 시트 표지
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MT48H16M32L2B5-8 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간7.5ns
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-VFBGA
공급자 장치 패키지90-VFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

267MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

500ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

92-VFBGA

공급자 장치 패키지

92-FBGA (11x19)

93LC46BT-E/ST15KVAO

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

S25FL132K0XMFN013

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL1-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

M29W128GSH70ZA6E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-TBGA (10x13)

CY7C2663KV18-550BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

144Mb (8M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

550MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

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