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MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR

MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR

참조 용

부품 번호 MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR
PNEDA 부품 번호 MT48LC32M8A2P-75-IT-D-TR
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지54-TSOP II

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Xccela Bus

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

CYD18S72V-100BBI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

18Mb (256K x 72)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

484-BGA

공급자 장치 패키지

484-FBGA (23x23)

CY7C199-15VC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

IS25LP032D-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

7130SA100PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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