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MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR

MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR

참조 용

부품 번호 MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR
PNEDA 부품 번호 MT48LC4M32B2P-6A-AAT-L-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR, MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR 데이터 시트 (총 페이지: 81, 크기: 4,652.5 KB)
PDFMT48LC4M32B2B5-6A AAT:L 데이터 시트 표지
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MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지86-TSOP II

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기술

EEPROM

메모리 크기

256b (32 x 8)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

15µs

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

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Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-EDIP

IS43TR16256A-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

MT45V512KW16PEGA-55 WT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

MT29F8G01ADBFD12-ITES:F

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

8Gb (8G x 1)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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