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MT49H16M36SJ-18:B

MT49H16M36SJ-18:B

참조 용

부품 번호 MT49H16M36SJ-18:B
PNEDA 부품 번호 MT49H16M36SJ-18-B
설명 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
단가
1 ---------- $647.0461
50 ---------- $616.7159
100 ---------- $586.3856
200 ---------- $556.0553
400 ---------- $530.7800
500 ---------- $505.5048
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MT49H16M36SJ-18:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT49H16M36SJ-18:B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT49H16M36SJ-18:B, MT49H16M36SJ-18:B 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 1,403.9 KB)
PDFMT49H32M18SJ-18:B 데이터 시트 표지
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MT49H16M36SJ-18:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간15ns
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스144-TFBGA
공급자 장치 패키지144-FBGA (18.5x11)

관심을 가질만한 제품

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

70V25S25PFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

AT25DQ161-SSH-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

7µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

CY14B101L-SZ45XIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOIC

S29GL01GS10TFA010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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