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MT49H32M18CBM-18:B TR

MT49H32M18CBM-18:B TR

참조 용

부품 번호 MT49H32M18CBM-18:B TR
PNEDA 부품 번호 MT49H32M18CBM-18-B-TR
설명 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT49H32M18CBM-18:B TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT49H32M18CBM-18:B TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT49H32M18CBM-18:B TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술DRAM
메모리 크기576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간15ns
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스144-TFBGA
공급자 장치 패키지144-µBGA (18.5x11)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

MT40A256M16GE-075E AUT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.33GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (9x14)

7142LA35J8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

IS25CD512-JKLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

71V3577S75BQG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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