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MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR

MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR

참조 용

부품 번호 MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR
PNEDA 부품 번호 MT52L256M64D2PP-093-WT-B-TR
설명 IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스-
시계 주파수1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.2V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스253-VFBGA
공급자 장치 패키지253-VFBGA (11x11.5)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-L

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

IS42S16160G-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-VBGA

공급자 장치 패키지

152-VBGA (14x18)

RC28F256P33TFA

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Axcell™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

95ns

접근 시간

95ns

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (8x10)

IS49RL18320-125BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-LBGA

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