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MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR

MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR

참조 용

부품 번호 MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR
PNEDA 부품 번호 MT53B1536M32D8QD-053-WT-D-TR
설명 IC DRAM 6G 1866MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기6Gb (1.5G x 32)
메모리 인터페이스-
시계 주파수1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.1V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

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기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

110ns

접근 시간

110ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

EM63B165TS-5ISG

Etron Technology, Inc.

제조업체

Etron Technology, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

512M (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

4.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

71V35761SA166BG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

CY7C1420LV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IS62WV5128BLL-55HI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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