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MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

참조 용

부품 번호 MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR
PNEDA 부품 번호 MT53D512M32D2DS-046-AAT-D-TR
설명 IC DRAM 16G 2133MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스-
시계 주파수2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.1V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스200-WFBGA
공급자 장치 패키지200-WFBGA (10x14.5)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (1G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x11.5)

IS25LQ010B-JDLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SST39WF400B-70-4I-MAQE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

40µs

접근 시간

70ns

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-WFBGA

공급자 장치 패키지

48-WFBGA (6x4)

25LC010A-E/SN16KVAO

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S29GL064S80FHV030

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

80ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

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