MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E
참조 용
| 부품 번호 | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
| PNEDA 부품 번호 | MT53D512M64D4NY-046-XT-ES-E |
| 설명 | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,326 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E 리소스
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 크기 | 32Gb (512M x 64) |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 시계 주파수 | 2133MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 1.1V |
| 작동 온도 | -30°C ~ 105°C (TC) |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 2133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.1V 작동 온도 -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 200-WFBGA 공급자 장치 패키지 200-WFBGA (10x14.5) |
