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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

참조 용

부품 번호 MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
PNEDA 부품 번호 MT53D512M64D4RQ-046-WT-ES-E-TR
설명 IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스-
시계 주파수2133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.1V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스556-WFBGA
공급자 장치 패키지556-WFBGA (12.4x12.4)

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메모리 포맷

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기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (512 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

7130LA35P

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

48-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

48-PDIP

MT46V64M8CV-5B:J TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-VFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x12.5)

S34ML04G100TFV003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

ML-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

64Gb (1G x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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