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MT53E128M16D1DS-053 AIT:A

MT53E128M16D1DS-053 AIT:A

참조 용

부품 번호 MT53E128M16D1DS-053 AIT:A
PNEDA 부품 번호 MT53E128M16D1DS-053-AIT-A
설명 IC DRAM LPDDR4 WFBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53E128M16D1DS-053 AIT:A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53E128M16D1DS-053 AIT:A
분류반도체메모리 IC기억

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  • MT53E128M16D1DS-053 AIT:A Distributor

MT53E128M16D1DS-053 AIT:A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Micron Technology Inc.

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Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-VBGA

공급자 장치 패키지

152-VBGA (14x18)

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

90ns

전압-공급

2.65V ~ 3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

MT44K16M36RB-125F:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (16M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-TBGA

공급자 장치 패키지

168-BGA (13.5x13.5)

AT49BV640S-70CU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-VBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

64-CBGA (9x10)

SST39VF3201-70-4I-EKE-T

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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