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MT53E384M32D2DS-046 WT:E

MT53E384M32D2DS-046 WT:E

참조 용

부품 번호 MT53E384M32D2DS-046 WT:E
PNEDA 부품 번호 MT53E384M32D2DS-046-WT-E
설명 IC DRAM LPDDR4 FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT53E384M32D2DS-046 WT:E 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT53E384M32D2DS-046 WT:E
분류반도체메모리 IC기억

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MT53E384M32D2DS-046 WT:E 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스-
시계 주파수2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급0.6V, 1.1V
작동 온도-30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

208MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14.4ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-VFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (9x13)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

7ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (8x8)

CY7C1373D-133AXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

CY7C1021CV26-15VXE

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (64K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

2.5V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

70V3389S5PRF/P

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.125Mb (64K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

128-LQFP

공급자 장치 패키지

128-TQFP (14x20)

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