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MTA4ATF51264HZ-2G6E1

MTA4ATF51264HZ-2G6E1

참조 용

부품 번호 MTA4ATF51264HZ-2G6E1
PNEDA 부품 번호 MTA4ATF51264HZ-2G6E1
설명 IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTA4ATF51264HZ-2G6E1 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTA4ATF51264HZ-2G6E1
분류반도체메모리 IC기억

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MTA4ATF51264HZ-2G6E1 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR4
메모리 크기32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수1333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.2V
작동 온도0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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기술

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메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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63-VFBGA (9x11)

MT47H64M16HR-3 IT:G TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (8x12.5)

7140SA20PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

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작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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