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MTFC64GAPALBH-AAT TR

MTFC64GAPALBH-AAT TR

참조 용

부품 번호 MTFC64GAPALBH-AAT TR
PNEDA 부품 번호 MTFC64GAPALBH-AAT-TR
설명 IC FLASH 512G MMC
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTFC64GAPALBH-AAT TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTFC64GAPALBH-AAT TR
분류반도체메모리 IC기억

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MTFC64GAPALBH-AAT TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈e•MMC™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스MMC
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스153-TFBGA
공급자 장치 패키지153-TFBGA (11.5x13)

관심을 가질만한 제품

93LC46CXT-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8 , 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

CY7C4042KV13-933FCXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR IV

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.26V ~ 1.34V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

361-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

361-FCBGA (21x21)

EDW2032BBBG-50-F-D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR5

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.25GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.65V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

170-TFBGA

공급자 장치 패키지

170-FBGA (12x14)

AT29LV512-12TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ms

접근 시간

120ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

71V25761S183PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

183MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.3ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP

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