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MTZJ2V4SA R0G

MTZJ2V4SA R0G

참조 용

부품 번호 MTZJ2V4SA R0G
PNEDA 부품 번호 MTZJ2V4SA-R0G
설명 DIODE ZENER 2.43V 500MW DO34
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,866
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 31 - 1월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTZJ2V4SA R0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTZJ2V4SA R0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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MTZJ2V4SA R0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)2.43V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr120µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AG, DO-34, Axial
공급자 장치 패키지DO-34

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제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.65 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

3.5µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AA, DO-7, Axial

공급자 장치 패키지

DO-7

BZT52C30-7-F-79

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 27.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

-

CZRER6V8B-HF

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±3%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 5.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0503 (1308 Metric)

공급자 장치 패키지

0503/SOD-723F

MMBZ5226B-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

28 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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