MTZJ6V8SB R0G
참조 용
| 부품 번호 | MTZJ6V8SB R0G |
| PNEDA 부품 번호 | MTZJ6V8SB-R0G |
| 설명 | DIODE ZENER 6.66V 500MW DO34 |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,888 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 31 - 1월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MTZJ6V8SB R0G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MTZJ6V8SB R0G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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MTZJ6V8SB R0G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 6.66V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 20 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 2µA @ 3.5V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AG, DO-34, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-34 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, BZD27B 전압-제너 (Nom) (Vz) 150V 공차 - 전력-최대 800mW 임피던스 (최대) (Zzt) 300 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 110V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 11V 공차 ±5% 전력-최대 350mW 임피던스 (최대) (Zzt) 20 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 8V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 20V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 25 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 15V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 150V 공차 ±5% 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) 650 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 114V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 A, Axial 공급자 장치 패키지 A, Axial |
