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MTZJ9V1SA R0G

MTZJ9V1SA R0G

참조 용

부품 번호 MTZJ9V1SA R0G
PNEDA 부품 번호 MTZJ9V1SA-R0G
설명 DIODE ZENER 8.51V 500MW DO34
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,138
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTZJ9V1SA R0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTZJ9V1SA R0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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MTZJ9V1SA R0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)8.51V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)25 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AG, DO-34, Axial
공급자 장치 패키지DO-34

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 700mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

LLDS; MiniMelf

MMSZ4701-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

14V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 10.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 10mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

MTZJT-7211C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

1N6319

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JANTXV1N986DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

110V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

750 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 84V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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