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MTZJT-7220B

MTZJT-7220B

참조 용

부품 번호 MTZJT-7220B
PNEDA 부품 번호 MTZJT-7220B
설명 DIODE ZENER 20V 500MW DO34
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTZJT-7220B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTZJT-7220B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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MTZJT-7220B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)20V
공차±3%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AG, DO-34, Axial
공급자 장치 패키지MSD

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30V

공차

±2%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

49 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 23V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1PMT5947A/TR7

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

±10%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

160 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 62.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

1N5353B

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

TZX6V8D-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZD27B160P-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, BZD27B

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

350 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 130V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

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