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MTZJT-727.5C

MTZJT-727.5C

참조 용

부품 번호 MTZJT-727.5C
PNEDA 부품 번호 MTZJT-727-5C
설명 DIODE ZENER 7.5V 500MW DO34
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,942
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MTZJT-727.5C 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MTZJT-727.5C
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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MTZJT-727.5C 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)7.5V
공차±3%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)20 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AG, DO-34, Axial
공급자 장치 패키지MSD

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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33V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

58 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZD17C130P-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

1N4100

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JANTX1N4123-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 29.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JAN1N4959D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

E, Axial

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