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MUBW50-12E8

MUBW50-12E8

참조 용

부품 번호 MUBW50-12E8
PNEDA 부품 번호 MUBW50-12E8
설명 MODULE IGBT CBI E3
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 23 - 6월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUBW50-12E8 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUBW50-12E8
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MUBW50-12E8, MUBW50-12E8 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 358.43 KB)
PDFMUBW50-12E8 데이터 시트 표지
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MUBW50-12E8 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter with Brake
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)90A
전력-최대350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)800µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.8nF @ 25V
입력Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E3
공급자 장치 패키지E3

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

910W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 62

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

830W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG5K75HH06E

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전력-최대

330W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR ECO 2™ Module

공급자 장치 패키지

POWIR ECO 2™

FS25R12W1T4B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EasyPACK™ 1B

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전력-최대

205W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG7T200CH12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

390A

전력-최대

1060W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

22.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

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