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MUR10010CTR

MUR10010CTR

참조 용

부품 번호 MUR10010CTR
PNEDA 부품 번호 MUR10010CTR
설명 DIODE MODULE 100V 100A 2TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,402
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR10010CTR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR10010CTR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MUR10010CTR, MUR10010CTR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 687.65 KB)
PDFMUR10020CTR 데이터 시트 표지
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MUR10010CTR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 50A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 50V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Twin Tower
공급자 장치 패키지Twin Tower

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120V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 120V

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장착 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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다이오드 구성

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 60V

작동 온도-접합

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Through Hole

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

85ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 90V

작동 온도-접합

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Through Hole

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