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MUR190HB0G

MUR190HB0G

참조 용

부품 번호 MUR190HB0G
PNEDA 부품 번호 MUR190HB0G
설명 DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 5,472
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR190HB0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR190HB0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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MUR190HB0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)900V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 900V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

350mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

1N4055

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

900V

전류-평균 정류 (Io)

275A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

12mA @ 900V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AB, DO-9, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

-65°C ~ 190°C

BAV21WS-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SF42GHA0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

19TQ015S

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

15V

전류-평균 정류 (Io)

19A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

360mV @ 19A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

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