MUR20010CT
참조 용
| 부품 번호 | MUR20010CT |
| PNEDA 부품 번호 | MUR20010CT |
| 설명 | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,336 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MUR20010CT 리소스
| 브랜드 | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MUR20010CT |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-배열 |
| 데이터 시트 |
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MUR20010CT 사양
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 200A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 100A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 75ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 25µA @ 50V |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Twin Tower |
| 공급자 장치 패키지 | Twin Tower |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 다이오드 구성 3 Independent 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 200mA (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 150mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 80V 작동 온도-접합 150°C (Max) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 150A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 820mV @ 200A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 4mA @ 60V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 MD3CC 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
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