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MUR2100E

MUR2100E

참조 용

부품 번호 MUR2100E
PNEDA 부품 번호 MUR2100E
설명 DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR2100E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR2100E
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MUR2100E, MUR2100E 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 60.41 KB)
PDFMUR2100ERL 데이터 시트 표지
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MUR2100E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.2V @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)100ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지Axial
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

68A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

1135pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RGP30AHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

BYM10-1000-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SB3H100-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

175°C (Max)

VS-HFA15TB60-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

HEXFRED®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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