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MUR2100ERLG

MUR2100ERLG

참조 용

부품 번호 MUR2100ERLG
PNEDA 부품 번호 MUR2100ERLG
설명 DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MUR2100ERLG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MUR2100ERLG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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MUR2100ERLG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.2V @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)100ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지Axial
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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커패시턴스 @ Vr, F

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FFPF08S60STU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

STEALTH™ II

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.6V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-2L

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SF30DG-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

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