MURB820-1
참조 용
| 부품 번호 | MURB820-1 |
| PNEDA 부품 번호 | MURB820-1 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 8A TO262-3 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,452 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 25 - 6월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MURB820-1 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MURB820-1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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MURB820-1 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | FRED Pt® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 975mV @ 8A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 공급자 장치 패키지 | TO-262-3 |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 120pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123T 공급자 장치 패키지 SOD-123HT 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 350A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 800A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 50mA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AB, DO-9, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AB, DO-9 작동 온도-접합 -45°C ~ 150°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.25V @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 115ns 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 600mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 600mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 MPG06, Axial 공급자 장치 패키지 MPG06 작동 온도-접합 -65°C ~ 125°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 12A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 120µA @ 45V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 200°C (Max) |
