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MURS230T3G

MURS230T3G

참조 용

부품 번호 MURS230T3G
PNEDA 부품 번호 MURS230T3G
설명 DIODE GEN PURP 300V 2A SMB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MURS230T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MURS230T3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MURS230T3G, MURS230T3G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 54.86 KB)
PDFMURS240T3 데이터 시트 표지
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MURS230T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)300V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)65ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 300V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지SMB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1.2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

910mV @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

Axial

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

CLL4448 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

250mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25nA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

VS-20MQ100-M3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

910mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

38pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GC50MPS06-247

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

50A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247-2

작동 온도-접합

175°C (Max)

AU3PMHM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

42pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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