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MURTA300120R

MURTA300120R

참조 용

부품 번호 MURTA300120R
PNEDA 부품 번호 MURTA300120R
설명 DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,778
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MURTA300120R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MURTA300120R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
MURTA300120R, MURTA300120R 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 804.41 KB)
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MURTA300120R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Anode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)150A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.6V @ 150A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 600V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Three Tower
공급자 장치 패키지Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 250A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

550µA @ 80V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

FEPB16DT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

SBR30E45CTB-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

SBR®

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 15A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

480µA @ 45V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

VS-6CWQ04FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

3.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 40V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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