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MV2109RLRAG

MV2109RLRAG

참조 용

부품 번호 MV2109RLRAG
PNEDA 부품 번호 MV2109RLRAG
설명 DIODE TUNING 30V 33PF TO92-2
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,730
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MV2109RLRAG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MV2109RLRAG
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드

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MV2109RLRAG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F36.3pF @ 4V, 1MHz
커패시턴스 비율3.2
커패시턴스 비율 조건C2/C30
전압-피크 역방향 (최대)30V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F200 @ 4V, 50MHz
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
공급자 장치 패키지TO-92

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 3V, 1MHz

커패시턴스 비율

4.8

커패시턴스 비율 조건

C3/C25

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

200 @ 3V, 50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

1SV280,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 10V, 1MHz

커패시턴스 비율

2.4

커패시턴스 비율 조건

C2/C10

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

ESC

BB689H7912XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.9pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

23.2

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

BBY 59-02V E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

7.8pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

4.6

커패시턴스 비율 조건

C1/C4

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

BB659C02VH7908XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.75pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

15.3

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

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S-1313A33-A4T1U3

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