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MW6S010GMR1

MW6S010GMR1

참조 용

부품 번호 MW6S010GMR1
PNEDA 부품 번호 MW6S010GMR1
설명 FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MW6S010GMR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MW6S010GMR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MW6S010GMR1, MW6S010GMR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 718.09 KB)
PDFMW6S010MR1 데이터 시트 표지
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MW6S010GMR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트125mA
전원-출력10W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270BA
공급자 장치 패키지TO-270-2 GULL

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

16A

소음 수치

-

현재-테스트

410mA

전원-출력

13.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

240W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

DFM6

BLF245B,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

주파수

175MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

4.5A

소음 수치

-

현재-테스트

25mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-279A

공급자 장치 패키지

CDFM4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

9V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

14V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz ~ 960MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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