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MW6S010NR1

MW6S010NR1

참조 용

부품 번호 MW6S010NR1
PNEDA 부품 번호 MW6S010NR1
설명 FET RF 68V 960MHZ TO270-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 14,736
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MW6S010NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MW6S010NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MW6S010NR1, MW6S010NR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 796.58 KB)
PDFMW6S010GNR1 데이터 시트 표지
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MW6S010NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트125mA
전원-출력10W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270AA
공급자 장치 패키지TO-270-2

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제조업체

NXP USA Inc.

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LDMOS (Dual)

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이득

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

650W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

SOT-979A

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

GTVA104001FA-V1-R0

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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트랜지스터 유형

HEMT

주파수

960MHz ~ 1.215GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

400W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

H-37265J-2

공급자 장치 패키지

H-37265J-2

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

12GHz

이득

12.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

88mA

소음 수치

0.3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

14dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S02

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.45GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

250W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1250W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

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