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MX25L8006EPI-12G

MX25L8006EPI-12G

참조 용

부품 번호 MX25L8006EPI-12G
PNEDA 부품 번호 MX25L8006EPI-12G
설명 IC FLASH 8MBIT
제조업체 Macronix
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MX25L8006EPI-12G 리소스

브랜드 Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MX25L8006EPI-12G
분류반도체메모리 IC기억

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MX25L8006EPI-12G 사양

제조업체Macronix
시리즈MX25xxx05/06
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수86MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지50µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

IS61WV25632BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (256K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

S29GL01GP13TFIH20D

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

130ns

접근 시간

130ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

AT49LV002T-12JI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

7133LA35G

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (2K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

68-BPGA

공급자 장치 패키지

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