MX25V1006FZUI
참조 용
| 부품 번호 | MX25V1006FZUI |
| PNEDA 부품 번호 | MX25V1006FZUI |
| 설명 | IC FLASH 1M 8USON |
| 제조업체 | Macronix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,600 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MX25V1006FZUI 사양
| 제조업체 | Macronix |
| 시리즈 | MXSMIO™ |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 1Mb (128K x 8) |
| 메모리 인터페이스 | SPI - Dual I/O |
| 시계 주파수 | 80MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 50µs, 10ms |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-UFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-USON (2x3) |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM 메모리 크기 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 2.4V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFBGA 공급자 장치 패키지 48-TFBGA (7.5x8.5) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 96-TFBGA 공급자 장치 패키지 96-TWBGA (9x13) |
